Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5803TRPBF, TSOP6, -40В, -3,4А (комплект 30 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM074415
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF5803TRPBF, TSOP6, -40В, -3,4А (комплект 30 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор Infineon IRF5803TRPBF у корпусі TSOP6 для SMD-монтажу. Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -40 В
- Струм дрена: -3,4 А
- Потужність розсіювання: 1,3 Вт
- Корпус: TSOP6, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор є уніполярним P-канальним MOSFET з напругою дрена-джерела -40 В та струмом дрена -3,4 А. Потужність розсіювання становить 1,3 Вт. Канал збагачуваний, що визначає його поведінку в електричних колах.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TSOP6. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴