Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5802TRPBF, 150В, 0,9А, TSOP6 (набір 40 шт.)
2 420 ₴
- В наявності
- Код: TM074414
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5802TRPBF, 150В, 0,9А, TSOP6 (набір 40 шт.)В наявності
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5802TRPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення.Набір із 40 одиниць
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 150 В
- Струм стоку: 0,9 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Корпус: TSOP6, монтаж SMD
- Комплектація: 40 шт.
Технічні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 0,9 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Прилад виготовлений за технологією HEXFET®.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TSOP6, що є стандартним для SMD-монтажу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.9 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 420 ₴