Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, 200 В, 0,6 А, TSOP6 — набір 40 шт.
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM074413
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, 200 В, 0,6 А, TSOP6 — набір 40 шт.В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRF5801TRPBF. Компоненти у корпусі TSOP6 призначені для монтажу на поверхню плати (SMD) та працюють із напругою до 200 В.
- Напруга стік-витік до 200 В
- Струм стоку до 0,6 А
- Потужність розсіювання 2 Вт
- Корпус TSOP6 для SMD-монтажу
- Технологія HEXFET®
- Набір із 40 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 200 В та витримує струм стоку до 0,6 А. Максимальна потужність розсіювання становить 2 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TSOP6 із технологією HEXFET®. Тип монтажу — SMD (поверхневий), що дозволяє розміщувати транзистори безпосередньо на поверхню друкованої плати без свердління отворів.
Комплектація
У наборі постачається 40 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.6 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴