Транзистор N-MOSFET Infineon IRF540NPBF, 100В, 33А, TO220AB (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF540NPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму в електронних пристроях. Модель вирізняється високою потужністю розсіювання 140 Вт та струмом стоку 33 А, що робить її надійним рішенням для силових схем. Корпус TO220AB забезпечує зручний монтаж на друковану плату.

• Струм стоку 33 А для потужних силових схем
• Потужність розсіювання 140 Вт
• Низький опір у відкритому стані 44 мОм
• Корпус TO220AB для вивідного монтажу (THT)
• Технологія HEXFET® від Infineon
• Набір із 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор здатний розсіювати потужність до 140 Вт, що дозволяє використовувати його в силових блоках живлення та інверторах без ризику перегріву за умови належного охолодження. Максимальний струм стоку становить 33 А, що забезпечує стабільну роботу при високих навантаженнях. Ці параметри важливі для пристроїв, де потрібна комутація значних струмів.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 44 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Низький опір критичний для підвищення ККД електронних схем та зменшення тепловиділення. Це особливо актуально для акумуляторних пристроїв та систем із обмеженим тепловідведенням.

Зручний монтаж та технологія

Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що гарантує стабільні характеристики та надійність. Корпус TO220AB призначений для вивідного монтажу (THT), що спрощує пайку та заміну транзистора на платі. Номінальна напруга затвор-витік ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затворів.

Висока напруга та заряд затвора Транзистор розрахований на напругу стік-витік 100 В, що дозволяє використовувати його в мережевих та високовольтних схемах. Заряд затвора становить 47,3 нКл, що визначає швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Ці параметри важливі для оптимізації енергоспоживання та швидкодії силових ключів. ## Зручний монтаж та технологія Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що гарантує стабільні характеристики та надійність. Корпус TO220AB призначений для вивідного монтажу (THT), що спрощує пайку та заміну транзистора на платі. Номінальна напруга затвор-витік ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затворів. Транзистор Infineon IRF540NPBF підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових ключів для ремонтних робіт або прототипування. Набір із 20 штук забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або навчальних проектів.