Транзистор N-MOSFET Infineon IRF520NPBF, 100В, 9,7А, TO220AB — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF520NPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу дрена-джерела до 100 В та струм дрена до 9,7 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Максимальний струм дрена: 9,7 А
• Розсіювана потужність: 48 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Технологія виготовлення: HEXFET®
• Комплектація: набір із 20 шт.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO220AB з технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT). Максимальна розсіювана потужність становить 48 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,2 Ом.

Електричні параметри

Транзистор має напругу затвор-джерело ±20 В та заряд затвора 16,7 нКл. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення. Полярність — уніполярна. Максимальна напруга дрена-джерела становить 100 В, а максимальний струм дрена — 9,7 А. Розсіювана потужність — 48 Вт, опір у стані провідності — 0,2 Ом. Корпус — TO220AB, монтаж — THT, технологія — HEXFET®. Комплектація: набір із 20 шт.