Транзистор N-MOSFET Vishay IRF510SPBF, 100В, 4А, корпус D2PAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF510SPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу стік-витік до 100 В та постійний струм 4 А, що робить її придатною для комутаційних задач середньої потужності.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 4 А (постійний), 20 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 43 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Набір: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 100 В та постійним струмом стіка 4 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 20 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із короткочасними піковими навантаженнями.

Керування та опір каналу

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 43 Вт. Це значення визначає тепловий режим роботи компонента та необхідність забезпечення відповідного відведення тепла при тривалих навантаженнях.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі D2PAK (TO263) із технологією монтажу SMD. Таке виконання забезпечує компактне розміщення на друкованій платі та зручність автоматизованого монтажу.

Комплектація

Товар постачається набором із 20 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.