Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, 75В, 75А, D2PAK, комплект 10 шт.
3 270 ₴
- В наявності
- Код: TM035839
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, 75В, 75А, D2PAK, комплект 10 шт.В наявності
3 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 75 В
- Струм стіка: 75 А (постійний), 550 А (імпульсний)
- Потужність розсіювання: 200 Вт
- Опір у відкритому стані: 7 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 75 В та постійний струм стіка 75 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 550 А, а розсіювана потужність становить 200 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 7 мОм.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією HEXFET®. Корпус D2PAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 75 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 270 ₴