Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710ZPBF, 100V, 59A, TO220AB, набір 10 шт.
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM074410
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710ZPBF, 100V, 59A, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRF3710ZPBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT). Ключові параметри: напруга дрена-джерела 100 В, струм дрена 59 А, розсіювана потужність 160 Вт.
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Струм дрена 59 А
- Розсіювана потужність 160 Вт
- Опір у стані провідності 18 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набір із 10 транзисторів
Тип та канал транзистора
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між дрена-джерелом становить 100 В, а напруга на затворі — ±20 В. Струм дрена може досягати 59 А. Опір у стані провідності дорівнює 18 мОм.
Потужність та заряд затвора
Розсіювана потужність транзистора — 160 Вт. Заряд затвора становить 82 нКл. Використовується технологія HEXFET®.
Монтаж та корпус
У комплекті 10 транзисторів. Монтаж виконується методом THT. Корпус TO220AB.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 59 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴