Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710STRLPBF, 100В, 57А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710STRLPBF — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 100 В та струм 57 А. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі D2PAK.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Максимальний струм дрена: 57 А
• Потужність розсіювання: 200 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Кількість у наборі: 10 шт.

Потужність та електричні параметри

Транзистор IRF3710STRLPBF забезпечує стабільну роботу при напрузі дрена-джерела 100 В та максимальному струмі дрена 57 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із високим енергоспоживанням. Використовується технологія HEXFET®.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі D2PAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

Увага: товар є набором, що містить 10 штук транзисторів IRF3710STRLPBF.