Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710PBF, 100В, 57А, TO220AB, комплект 20 шт.
3 250 ₴
- В наявності
- Код: TM035838
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710PBF, 100В, 57А, TO220AB, комплект 20 шт.В наявності
3 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар постачається комплектом із 20 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу THT.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 57 А
- Розсіювана потужність: 200 Вт
- Опір у відкритому стані: 23 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 20 шт.
Напруга та струм
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а струм стіка — 57 А. Розсіювана потужність дорівнює 200 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Опір у відкритому стані становить 23 мОм.
Технологія та корпус
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Загальний заряд затвора становить 86,7 нКл. Корпус TO220AB призначений для монтажу THT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 57 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 250 ₴