Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3415PBF, 150В, 43А, TO220AB, набір 10 шт.
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM074409
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3415PBF, 150В, 43А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IRF3415PBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT). Ключові параметри: напруга 150 В, струм 43 А, потужність 200 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 150 В
- Струм дрена: 43 А
- Потужність: 200 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Напруга дрена-джерела становить 150 В, а максимальний струм дрена — 43 А. Розсіювана потужність дорівнює 200 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, опір у стані провідності — 42 мОм, а заряд затвора — 133,3 нКл.
Канал та полярність
Транзистор є уніполярним з каналом збагаченого типу. Використовується технологія HEXFET®. Компонент виконаний у корпусі TO220AB з монтажем THT.
Комплектація
У пакеті постачається 10 транзисторів IRF3415PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴