Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, 55В, 78А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035837
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, 55В, 78А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRF3205ZSTRLPBF. Це уніполярні компоненти з каналом збагачення, розраховані на напругу 55 В та струм 78 А.
- Струм дрена 78 А та імпульсний струм 440 А
- Напруга дрена-джерела 55 В
- Розсіювана потужність 170 Вт
- Опір у стані провідності 6,5 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Набір із 10 транзисторів
Технічні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 55 В та постійним струмом дрена 78 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 440 А, а максимальна розсіювана потужність становить 170 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 6,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виготовлені у корпусі D2PAK із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Напруга на затворі-джерелі становить ±20 В, а заряд затвора — 110 нКл.
Електричні характеристики затвора та каналу
У пакуванні міститься 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 78 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴