Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205PBF, 55В, 80А, TO220AB, 20 шт.

3 500 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019091
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205PBF, 55В, 80А, TO220AB, 20 шт.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205PBF, 55В, 80А, TO220AB, 20 шт.В наявності
3 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205PBF — це потужний польовий транзистор у корпусі TO220AB, призначений для комутації високих струмів. Комплект із 20 штук забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонтних робіт.

  • Струм стоку: 80 А
  • Напруга стік-витік: 55 В
  • Розсіювана потужність: 200 Вт
  • Опір відкритого каналу: 8 мОм
  • Корпус: TO220AB (THT)
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 80 А та розсіювану потужність 200 Вт. Це дозволяє використовувати його в силових ланцюгах, де потрібна надійна комутація потужних навантажень без перегріву.

Низький опір у відкритому стані

Опір каналу у відкритому стані становить лише 8 мОм. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та надійність

Компонент виконаний у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Технологія HEXFET® забезпечує стабільні характеристики та стійкість до перевантажень, що важливо для промислового застосування.

Заряд затвора та керування Заряд затвора становить 146 нКл, що визначає вимоги до драйвера затвора та швидкість перемикання. Максимальна напруга затвор-витік ±20 В забезпечує запас міцності ізоляції при керуванні сигналом. Канал типу «збагачуваний» (enhancement mode) гарантує, що транзистор закритий при нульовій напрузі на затворі, що спрощує схеми захисту від випадкового ввімкнення. ## Комплектація

У пакуванні міститься 20 транзисторів IRF3205PBF. Такий набір зручний для радіоаматорів та інженерів, які потребують кількох однакових компонентів для реалізації схеми.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання200 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік55 В
Максимально допустимий струм стоку80 А
Опір у відкритому стані (Rds)8 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 500 ₴