
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2907ZPBF, 75В, 170А, TO220AB, комплект 10 шт.
3 540 ₴
- В наявності
- Код: TM019090
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2907ZPBF — це потужний напівпровідниковий прилад для комутаційних та силових застосувань. У комплекті постачається 10 одиниць у корпусі TO220AB, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Струм стоку до 170 А для потужних силових ланцюгів
- Напруга стік-витік 75 В для систем живлення
- Потужність розсіювання 330 Вт
- Корпус TO220AB з монтажем THT
- Технологія HEXFET® для ефективної комутації
- Комплект із 10 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 170 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових ланцюгах. Така характеристика робить компонент придатним для керування великими навантаженнями з використанням радіатора для відведення тепла.
Надійна робота при високих напругах
Максимальна напруга стік-витік становить 75 В, що забезпечує запас міцності для систем живлення з напругою до 75 В. Це важливо для стабільної роботи в умовах можливих імпульсних перенапруг.
Ефективне відведення тепла
Потужність розсіювання 330 Вт вказує на здатність компонента працювати в жорстких теплових режимах. Корпус TO220AB з монтажем THT дозволяє легко кріпити радіатори для додаткового охолодження.
Технологія HEXFET®
Використання технології HEXFET® від Infineon.
Комплектація
У наборі 10 транзисторів IRF2907ZPBF, що оптимізує закупівлю для проектів, де потрібна партія компонентів однакового типу.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 170 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
- Ціна: 3 540 ₴
