Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807STRLPBF, 75В, 82А, D2PAK, 10 шт.
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM074408
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807STRLPBF, 75В, 82А, D2PAK, 10 шт.В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807STRLPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 75 В та струмом до 82 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Струм дрена: 82 А
- Напруга дрена-джерела: 75 В
- Потужність розсіювання: 200 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 75 В та постійний струм дрена 82 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт. Тип транзистора — N-MOSFET, канал збагачуваний.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK із технологією HEXFET®. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів IRF2807STRLPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 82 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴