Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807PBF, 75В, 82А, TO220AB (набір 20 шт.)
2 850 ₴
- В наявності
- Код: TM019089
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807PBF, 75В, 82А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
2 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення з параметрами 75 В, 82 А та 200 Вт. Комплект із 20 штук забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Струм стоку до 82 А
- Розсіювана потужність 200 Вт
- Опір відкритого каналу 13 мОм
- Технологія HEXFET®
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Комплект із 20 штук
Висока струмова навантаженість
Транзистор має постійний струм стоку до 82 А та максимальну розсіювану потужність 200 Вт.
Ефективне керування та низькі втрати
Застосовано технологію HEXFET®, опір відкритого каналу становить 13 мОм, а заряд затвора — 106,7 нКл.
Зручний монтаж та надійність
Корпус TO220AB з монтажем THT. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів IRF2807PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 82 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 850 ₴