Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2805PBF, 55В, 175А, TO220AB, набір 10 шт.
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM074407
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2805PBF, 55В, 175А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 потужних польових транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies. Модель IRF2805PBF у корпусі TO220AB.
- Набір із 10 транзисторів
- Струм стоку 175 А
- Розсіювана потужність 330 Вт
- Опір у стані провідності 4,7 мОм
- Корпус TO220AB для вивідного монтажу
- Технологія HEXFET®
Висока потужність та струм
Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 175 А та розсіювання потужності до 330 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір каналу у стані провідності становить 4,7 мОм.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB із технологією вивідного монтажу (THT).
Технологія HEXFET®
Технологія HEXFET®. Заряд затвора становить 150 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 175 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴