Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404ZSTRLPBF, 40В, 190А, D2PAK, набір 10 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM074406
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404ZSTRLPBF, 40В, 190А, D2PAK, набір 10 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IRF1404ZSTRLPBF. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі D2PAK. Ключові параметри: напруга 40 В, струм 190 А, потужність 220 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 40 В
- Струм стоку: 190 А
- Потужність розсіювання: 220 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним польовим транзистором (N-MOSFET) з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 40 В, а постійний струм стоку — 190 А. Потужність розсіювання становить 220 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK із поверхневим монтажем (SMD). Технологія виготовлення: HEXFET®.
Комплектація
Увага: товар постачається як набір із 10 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 220 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 190 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴