Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404ZPBF, 40V, 190A, TO220AB, набір 20 шт.
3 400 ₴
- В наявності
- Код: TM019086
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404ZPBF, 40V, 190A, TO220AB, набір 20 шт.В наявності
3 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Infineon IRF1404ZPBF у корпусі TO220AB. Призначений для силових електронних схем, де потрібна висока струмова навантаженість та надійність.
- Струм дренажу до 190 А
- Опір у стані провідності 3,7 мОм
- Напруга дренаж-витік 40 В
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Технологія HEXFET®
- Набір із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор забезпечує постійний струм дренажу до 190 А. Це дозволяє використовувати компонент у потужних інверторах, контролерах двигунів та силових ключах.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 3,7 мОм. Таке значення мінімізує втрати потужності та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.
Зручний монтаж та технологія HEXFET®
Компонент виконаний у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Використовується технологія HEXFET®, що важливо для промислового та аматорського електронного обладнання.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 220 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 190 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 400 ₴