Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135S203, 135В, 91А, D2PAK — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135S203 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу SMD. Комплект складається з 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту електронних блоків.

• Струм стоку 91 А
• Імпульсний струм 512 А
• Потужність розсіювання 441 Вт
• Опір у стані провідності 8,4 мОм
• Корпус D2PAK для монтажу SMD
• Комплект: 10 шт.

Висока струмова навантаженість

Прилад розрахований на постійний струм стоку 91 А та імпульсний струм до 512 А. Така характеристика дозволяє використовувати транзистор у силових ключах, де потрібне перемикання великих струмів.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 441 Вт. Це забезпечує стабільну роботу пристрою під навантаженням при високих робочих температурах.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 8,4 мОм. Низьке значення опору зменшує втрати енергії та нагрівання компонента, що підвищує загальний ККД електронної схеми.

Зручний монтаж та технологія

Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® і має корпус D2PAK для поверхневого монтажу (SMD). Це спрощує автоматизацію процесу пайки та економить місце на друкованій платі.## Низький заряд затвораЗаряд затвора становить 0,27 мкКл. Низьке значення заряду зменшує навантаження на драйвер затвора та дозволяє знизити втрати на керування при перемиканні.