
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135B203, 135В, 91А, корпус TO220AB, комплект 10 шт.
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM035835
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135B203 — це потужний напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель вирізняється високим струмом стоку 91 А та напругою 135 В, що робить її придатною для силових електронних схем. У комплекті постачається 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту.
- Струм стоку 91 А та імпульсний струм 512 А
- Напруга стік-виток 135 В
- Розсіювана потужність 441 Вт
- Опір у стані провідності 8,4 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Комплект із 10 транзисторів
Висока потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 91 А та імпульсний струм до 512 А. Це дозволяє використовувати компонент у ланцюгах із високими навантаженнями за умови належного охолодження. Максимальна розсіювана потужність становить 441 Вт, що дозволяє працювати з високими навантаженнями.
Низький опір та ефективність
Опір у стані провідності дорівнює 8,4 мОм, що знижує втрати енергії та нагрівання компонента. Така характеристика важлива для підвищення ККД силових перетворювачів. Заряд затвора становить 0,27 мкКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.
Монтаж та керування
Компонент виконаний у корпусі TO220AB із технологією встановлення THT (через отвори). Це дозволяє встановлювати компонент у отвори друкованої плати. Максимальна напруга затвор-виток ±20 В визначає безпечні межі керування затвором.
Транзистор Infineon IRF135B203 використовується як силовий ключ у електронних пристроях. Завдяки технології HEXFET® компонент поєднує високі струмові характеристики з компактним корпусом TO220AB. Комплект із 10 штук зручний для складання або ремонту силових вузлів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 441 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 135 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 91 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
- Ціна: 2 560 ₴
