Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1310NPBF, 100В, 42А, TO220AB (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1310NPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутаційних та силових застосувань. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220AB, що забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.

• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стоку: 42 А
• Розсіювана потужність: 160 Вт
• Опір у стані провідності: 36 мОм
• Корпус: TO220AB (вивідний монтаж)
• Комплектація: 20 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 42 А та напругу стік-витік 100 В. Максимальна розсіювана потужність становить 160 Вт, що дозволяє використовувати компонент у потужних силових схемах без надмірного нагрівання.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 36 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та технологія

Компонент виготовлений за технологією HEXFET® та призначений для вивідного монтажу (THT). Корпус TO220AB є стандартом для силових транзисторів, що спрощує кріплення до радіатора та інтеграцію в друковані плати.

Керування затвором

Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 73,3 нКл. Ці параметри визначають швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора у вашій схемі.

Тип каналу та полярність Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Це означає, що пристрій закритий при нульовій напрузі на затворі та відкривається лише при подачі додатної напруги, що забезпечує безпечний стан за замовчуванням у силових схемах. Транзистори IRF1310NPBF підходять для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних силових ключів для блоків живлення, інверторів або двигунів. Комплект із 20 штук оптимізує витрати на закупівлю для серійних проектів.