Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF, 60V, 79A, TO220AB — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 60 В та струм до 79 А.

• Струм стоку до 79 А
• Напруга стік-виток 60 В
• Розсіювана потужність 110 Вт
• Опір у відкритому стані 8,4 мОм
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Набір із 20 шт.

Потужність та струм

Транзистор витримує постійний струм стоку до 79 А та розсіює потужність до 110 Вт.

Електричні параметри

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 60 В, а напруга на затворі — ±20 В. Низький опір у відкритому стані (8,4 мОм) зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO220AB із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).

Комплектація

Товар постачається набором із 20 транзисторів. Заряд затвора становить 46 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.