Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1010NSTRLPBF, 55В, 60А, D2PAK, 10 шт.
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM074404
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1010NSTRLPBF, 55В, 60А, D2PAK, 10 шт.В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1010NSTRLPBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 55 В
- Струм стіка: 60 А
- Потужність розсіювання: 180 Вт
- Опір у відкритому стані: 11 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має напругу стік-витік 55 В та максимальний струм стіка 60 А. Потужність розсіювання становить 180 Вт, а опір у відкритому стані — 11 мОм. Заряд затвора дорівнює 0,12 мкКл.
Корпус та технологія
Прилад виготовлений у корпусі D2PAK із технологією HEXFET®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація та ідентифікація
У пакеті постачається 10 транзисторів IRF1010NSTRLPBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 180 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴