Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B202, 100 В, 68 А, 221 Вт, TO220AB — набір 10 шт.
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM074403
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B202, 100 В, 68 А, 221 Вт, TO220AB — набір 10 шт.В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B202 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату. Комплект складається з 10 одиниць.
- Максимальна потужність розсіювання 221 Вт
- Струм стоку до 68 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Корпус TO220AB для монтажу на плату (THT)
- Технологія HEXFET®
- Комплект: 10 шт.
Потужність та струм
Максимальна потужність розсіювання становить 221 Вт. Максимально допустимий струм стоку — 68 А.
Напруга та технологія
Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 100 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у стандартному корпусі TO220AB з виводами для монтажу на плату (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 221 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 68 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴