Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B201, 100В, 136А, TO220AB — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B201 — це потужний напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель розрахована на високий струм до 136 А та напругу 100 В. У комплекті постачається 10 одиниць.

• Струм стоку 136 А
• Імпульсний струм 690 А
• Напруга стік-виток 100 В
• Опір у відкритому стані 4,2 мОм
• Потужність розсіювання 441 Вт
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Комплект: 10 шт.

Висока потужність та струм

Транзистор витримує постійний струм стоку 136 А та імпульсний струм до 690 А. Це дозволяє використовувати компонент у схемах із значними навантаженнями. Потужність розсіювання становить 441 Вт, що вимагає якісного охолодження.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 4,2 мОм. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це підвищує загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220AB із технологією монтажу THT (скрізь отвори). Це спрощує пайку на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт.

Технічні характеристики керування

Максимальна напруга затвор-виток становить ±20 В, а заряд затвора — 255 нКл. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Ці параметри важливі для правильного вибору драйвера затвора. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®, що забезпечує стабільну роботу при високих навантаженнях.