Транзистор N-MOSFET Infineon IPZ60R040C7XKSA1, 600В, 50А, PG-TO247-4 (2 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM035826
Транзистор N-MOSFET Infineon IPZ60R040C7XKSA1, 600В, 50А, PG-TO247-4 (2 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPZ60R040C7XKSA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 50 А. Комплект складається з двох елементів у корпусі PG-TO247-4, що забезпечує монтаж на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 50 А
- Опір у відкритому стані: 40 мОм
- Розсіювана потужність: 227 Вт
- Корпус: PG-TO247-4 (монтаж THT)
- Технологія: CoolMOS™ C7
- Комплектація: 2 шт.
Електричні характеристики
Прилад працює з напругою стік-витік 600 В та витримує струм стіка 50 А. Опір у відкритому стані становить 40 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 227 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.
Технологія CoolMOS™ C7
Використано технологію CoolMOS™ C7. Корпус PG-TO247-4 призначений для вивідного монтажу (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 227 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | PG-TO247-4 |
| Технологія | CoolMOS™ C7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴