Транзистор N-MOSFET Infineon IPW65R110CFDFKSA2, 700В, 31,2А, TO247-3 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW65R110CFDFKSA2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 3 елементів у корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 700 В
• Струм дрена: 31,2 А
• Потужність розсіювання: 277,8 Вт
• Опір у стані провідності: 0,11 Ом
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплектація: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 700 В та струм дрена 31,2 А. Опір у стані провідності становить 0,11 Ом. Загальна потужність розсіювання для одного елемента — 277,8 Вт.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у стандартному корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється через отвори (THT), що дозволяє фіксувати компонент безпосередньо на друкованій платі. Заряд затвора становить 118 нКл.