Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO247-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 20,2 А. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO247-3 з технологією CoolMOS™ P6.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 600 В
• Струм стіка: 20,2 А
• Розсіювана потужність: 151 Вт
• Опір у стані провідності: 0,19 Ом
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™ P6
• Комплектація: 5 шт.

Електричні параметри

Прилад має напругу стік-витік 600 В та максимальний струм стіка 20,2 А. Опір у стані провідності становить 0,19 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 151 Вт.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі PG-TO247-3, призначеному для монтажу в отвори (THT). Монтаж виконується в отвори (THT).

Напруга затвора та комплектація

Допустима напруга затвор-витік становить ±20 В. Використовується технологія CoolMOS™ P6 від виробника Infineon Technologies. Товар продається набором із 5 транзисторів.