Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1, 600V, 20.2A, 151W, PG-TO247-3 (5 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM074389
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1, 600V, 20.2A, 151W, PG-TO247-3 (5 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 20,2 А.## Комплектація та кількість
- Напруга стік-витік 600 В
- Струм стіка 20,2 А
- Розсіювана потужність 151 Вт
- Опір у відкритому стані 0,19 Ом
- Корпус PG-TO247-3 (THT)
- Комплект з 5 транзисторів
Технічні параметри
Прилад працює з напругою стік-витік до 600 В та витримує струм стіка 20,2 А. Опір у відкритому стані становить 0,19 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 151 Вт.
Технологія та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ C6. Корпус PG-TO247-3 призначений для вивідного монтажу (THT) на друковані плати. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Тип та канал транзистора
Прилад є уніполярним N-MOSFET транзистором з каналом збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 151 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технологія | CoolMOS™ C6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴