Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1, 600В, 30А, 5 шт.
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM074388
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1, 600В, 30А, 5 шт.В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO247-3,. Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 30 А
- Розсіювана потужність: 219 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,125 Ом
- Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P6
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Технічні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 600 В та максимальний струм стіка 30 А. Опір у відкритому стані становить 0,125 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 219 Вт.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ P6. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж), що вимагає встановлення в отвори друкованої плати. Корпус PG-TO247-3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 219 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴