Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125CPFKSA1, 600В, 25А, 208Вт, PG-TO247-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125CPFKSA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TO247-3, призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом до 25 А. Комплект складається з 5 одиниць, що зручно для серійного монтажу або заміни компонентів у електронних пристроях.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 25 А
• Потужність розсіювання: 208 Вт
• Опір у стані провідності: 0,125 Ом
• Корпус: PG-TO247-3
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Технічні параметри

Прилад має номінальну напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 25 А. Потужність розсіювання становить 208 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у схемах із високим навантаженням. Опір у стані провідності дорівнює 0,125 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи.

Технологія та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ CP, яка забезпечує ефективне перемикання. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), що гарантує надійне кріплення на друкованій платі. Корпус PG-TO247-3 має три виводи.

Комплектація

У комплекті постачається 5 транзисторів. Це дозволяє одночасно замінити кілька компонентів або створити запас для майбутніх ремонтів.