Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R120P7XKSA1, 600В, 26А, TO247-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R120P7XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом, призначений для роботи в електричних колах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 26 А
• Потужність розсіювання: 95 Вт
• Опір у стані провідності: 0,1 Ом
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 26 А. Опір у стані провідності становить 0,1 Ом. Загальна потужність розсіювання дорівнює 95 Вт, а заряд входу (брами) — 36 нКл.

Конструкція та монтаж

Прилад виконаний у стандартному корпусі TO247-3. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи проходять крізь отвори в друкованій платі та припаюються з іншого боку.

Комплектація

У пакуванні знаходиться 5 транзисторів моделі IPW60R120P7XKSA1 від виробника Infineon Technologies.