Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R099P6XKSA1, 600В, 37.9А, 278Вт, PG-TO247-3 (5 шт.)

Набір із 5 потужних N-MOSFET транзисторів Infineon IPW60R099P6XKSA1 у корпусі PG-TO247-3. Призначені для роботи з напругою до 600 В та струмом до 37,9 А.

• Максимальна потужність розсіювання 278 Вт
• Напруга стік-витік до 600 В
• Струм стоку до 37,9 А
• Корпус PG-TO247-3 для монтажу в отвори (THT)
• Технологія CoolMOS™ P6
• Комплект із 5 транзисторів

Технічні характеристики

Транзистори мають максимальну розсіювану потужність 278 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, а максимально допустимий струм стоку — 37,9 А. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в силових ланцюгах.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані в корпусі PG-TO247-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT).

Технологія та комплектація

Виріб виготовлений за технологією CoolMOS™ P6 від Infineon Technologies. У комплекті постачається 5 транзисторів.