Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R099CPFKSA1, 600В, 31А, 255Вт, PG-TO247-3 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPW60R099CPFKSA1. Це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 31 А. У комплекті поставляється 3 штуки в корпусі PG-TO247-3.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 31 А
• Потужність розсіювання: 255 Вт
• Опір у стані провідності: 99 мОм
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™ CP
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Технічні характеристики

Прилад працює з напругою дрена-джерела до 600 В та витримує струм дрена 31 А. Потужність розсіювання становить 255 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 99 мОм, що знижує втрати енергії під час роботи.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі PG-TO247-3, який забезпечує ефективне відведення тепла. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), що підходить для класичних друкованих плат. Технологія виготовлення — CoolMOS™ CP, що оптимізує параметри перемикання.

Комплектація

У наборі знаходиться 3 транзистори.