Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R037P7XKSA1, 600В, 48А, 255Вт, PG-TO247-3 (3 шт.)
2 550 ₴
- В наявності
- Код: TM035823
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R037P7XKSA1, 600В, 48А, 255Вт, PG-TO247-3 (3 шт.)В наявності
2 550 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R037P7XKSA1 — це уніполярний компонент із технологією CoolMOS™ P7. Комплект складається з 3 штук у корпусі PG-TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 48 А
- Потужність розсіювання: 255 Вт
- Опір у стані провідності: 37 мОм
- Корпус: PG-TO247-3 (THT)
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Комплектація: 3 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 48 А.
Потужність та монтаж
Потужність розсіювання становить 255 Вт. Компонент виконаний у корпусі PG-TO247-3 з монтажем THT.
Електричні параметри
Опір у стані провідності дорівнює 37 мОм. Напруга затвор-джерело становить ±20 В. Заряд вентильного затвора становить 121 нКл. Канал транзистора — збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 255 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 48 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 550 ₴