Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7, 600В, 40А, корпус PG-TO247-3 (3 шт.)

2 250 ₴

  • В наявності
  • Код: TM074382
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7, 600В, 40А, корпус PG-TO247-3 (3 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7, 600В, 40А, корпус PG-TO247-3 (3 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 40 А при напрузі 600 В. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі PG-TO247-3 з технологією OptiMOS™.

  • Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
  • Максимальна напруга стік-витік: 600 В
  • Струм стіка: 40 А
  • Розсіювана потужність: 278 Вт
  • Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
  • Технологія: OptiMOS™
  • Кількість у комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік 600 В та витримує постійний струм стіка 40 А. Опір у відкритому стані становить 60 мОм, що забезпечує ефективну комутацію. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 278 Вт, а заряд затвора — 141 нКл.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі PG-TO247-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT).

Комплектація

У комплекті поставляється 3 транзистори Infineon IPW60R031CFD7. Символ виробника: IPW60R031CFD7. Поляризація транзистора — уніполярна. Напруга затвор-витік становить ±20 В.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання278 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік600 В
Максимально допустимий струм стоку40 А
Опір у відкритому стані (Rds)60 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті3 шт.
КорпусPG-TO247-3
ТехнологіяOptiMOS™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 250 ₴