
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7, 600В, 40А, корпус PG-TO247-3 (3 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM074382
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 40 А при напрузі 600 В. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі PG-TO247-3 з технологією OptiMOS™.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Струм стіка: 40 А
- Розсіювана потужність: 278 Вт
- Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
- Технологія: OptiMOS™
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 600 В та витримує постійний струм стіка 40 А. Опір у відкритому стані становить 60 мОм, що забезпечує ефективну комутацію. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 278 Вт, а заряд затвора — 141 нКл.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі PG-TO247-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT).
Комплектація
У комплекті поставляється 3 транзистори Infineon IPW60R031CFD7. Символ виробника: IPW60R031CFD7. Поляризація транзистора — уніполярна. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 278 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴
