Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R900P7AKMA1, 800 В, 3,9 А, IPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R900P7AKMA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N, розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 3,9 А. Прилад виконаний у корпусі IPAK для монтажу в отвори (THT) та реалізує технологію CoolMOS™ P7.

• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 3,9 А
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Корпус IPAK для монтажу в отвори (THT)
• Технологія CoolMOS™ P7
• Заряд входу: 15 нКл
• Набір із 20 транзисторів

Потужність та струм

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 45 Вт. Прилад забезпечує робочий струм стоку до 3,9 А при напрузі стік-витік до 800 В. Заряд входу (gate charge) дорівнює 15 нКл.

Корпус IPAK

Транзистор виготовлений у корпусі IPAK, що передбачає монтаж у отвори (THT). Монтаж виконується у отвори друкованих плат.

Версія ESD та комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів. Версія ESD.