Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, 800В, 1А, IPAK, набір 20 шт.
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM074380
Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, 800В, 1А, IPAK, набір 20 шт.В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPU80R4K5P7AKMA1. Це уніполярні компоненти з напругою стік-витік 800 В та струмом 1 А, виготовлені за технологією CoolMOS™ P7 у корпусі IPAK.
- Напруга стік-витік 800 В
- Струм стіка 1 А, імпульсний 2,6 А
- Корпус IPAK, монтаж THT
- Технологія CoolMOS™ P7
- Набір із 20 транзисторів
- Версія ESD
Технічні характеристики
Транзистор має напругу стік-витік 800 В та постійний струм стіка 1 А. Імпульсний струм стіка становить 2,6 А, а розсіювана потужність — 13 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4,5 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі IPAK із виводами для монтажу в отвори (THT). Компонент має версію ESD. Використовується технологія CoolMOS™ P7.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 13 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴