Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K4P7AKMA1, 800В, 2,7А, IPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K4P7AKMA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на робочу напругу 800 В та струм стоку 2,7 А. Товар постачається набором із 20 штук у корпусі IPAK для монтажу в отвори (THT).

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Струм стоку: 2,7 А
• Опір у провідному стані: 1,4 Ом
• Корпус: IPAK, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™ P7
• Комплектація: набір із 20 штук

Технологія CoolMOS™ P7 та опір

Прилад виготовлено за технологією CoolMOS™ P7. Опір у провідному стані становить 1,4 Ом.

Електричні параметри та потужність

Максимальна напруга стік-витік становить 800 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Струм стоку дорівнює 2,7 А, а загальний заряд затвора — 10 нКл. Максимальна розсіювана потужність становить 32 Вт.

Монтаж та версія ESD

Транзистор має корпус IPAK та призначений для вивідного монтажу (THT). Компонент має маркування ESD.