Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K2P7AKMA1, 800В, 3,1А, IPAK (40 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035822
Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K2P7AKMA1, 800В, 3,1А, IPAK (40 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K2P7AKMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 3,1 А.## Технологія та тип
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 3,1 А
- Розсіювана потужність: 37 Вт
- Опір у стані провідності: 1,2 Ом
- Корпус: IPAK, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 3,1 А. Опір у стані провідності становить 1,2 Ом, а максимальна розсіювана потужність — 37 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі IPAK для монтажу через отвори (THT). Версія: ESD.
Технологія та тип
Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Це N-MOSFET уніполярного типу з каналом збагачення. Заряд затвора становить 11 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 37 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴