Транзистор N-MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1, 80В, 279А, OptiMOS™ 5, комплект 5 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM074378
Транзистор N-MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1, 80В, 279А, OptiMOS™ 5, комплект 5 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1 — це силовий напівпровідниковий прилад технології OptiMOS™ 5 у корпусі PG-HSOF-8. Призначений для комутації струму до 279 А при напрузі 80 В.
- Струм стоку 279 А, імпульсний струм 1200 А
- Напруга стік-витік 80 В
- Опір у відкритому стані 1,2 мОм
- Технологія OptiMOS™ 5
- Корпус PG-HSOF-8, монтаж SMD
- Комплект: 5 шт.
Потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 279 А та імпульсний струм до 1200 А. Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт,.
Електричні параметри
Номінальна напруга стік-витік дорівнює 80 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 1,2 мОм,. Загальний заряд затвора — 178 нКл.
Монтаж та комплектація
Прилад виконаний у корпусі PG-HSOF-8 для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 5 транзисторів,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 279 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-HSOF-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴