Транзистор N-MOSFET Infineon IPP65R095C7XKSA1, 650V, 24A, CoolMOS™, 5 шт.
2 840 ₴
- В наявності
- Код: TM019065
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP65R095C7XKSA1, 650V, 24A, CoolMOS™, 5 шт.В наявності
2 840 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів N-MOSFET Infineon IPP65R095C7XKSA1 на технології CoolMOS™. З напругою до 650 В та струмом 24 А. Корпус PG-TO220-3 забезпечує зручний монтаж на плату.
- Технологія CoolMOS™ для зниження втрат
- Напруга дрена-джерела 650 В
- Струм дрена 24 А
- Розсіювана потужність 128 Вт
- Корпус PG-TO220-3 для вивідного монтажу
- Упаковка містить 5 транзисторів
Висока ефективність перемикання
Транзистори IPP65R095C7XKSA1 виготовлені за технологією CoolMOS™, що дозволяє зменшити втрати енергії під час роботи. Низький опір у відкритому стані сприяє стабільній роботі пристрою.
Потужність та надійність
Максимальна розсіювана потужність становить 128 Вт, що дозволяє використовувати транзистори в умовах значних навантажень. Номінальний струм дрена 24 А та напруга дрена-джерела 650 В Напруга затвор-джерело ±20 В відповідає стандартним вимогам керування MOSFET.
Зручний монтаж та комплектація
Компоненти мають корпус PG-TO220-3 та призначені для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 штук,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 128 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 24 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 95 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 840 ₴