Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM074377
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1 у корпусі PG-TO220-3. Розраховані на напругу до 600 В та струм до 20,2 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга витоку-джерела: 600 В
- Струм витоку: 20,2 А
- Потужність розсіювання: 151 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,19 Ом
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P6
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 600 В, а постійний струм витоку — 20,2 А. Потужність розсіювання досягає 151 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,19 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори друкованої плати (THT). Напруга на затворі обмежена ±20 В.
Технологія та комплектація
Використано технологію CoolMOS™ P6 від виробника Infineon Technologies. У комплекті постачається 10 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 151 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴