Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R165CPXKSA1, 600В, 21А, CoolMOS CP, 5 шт.
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM074376
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R165CPXKSA1, 600В, 21А, CoolMOS CP, 5 шт.В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор працює як N-MOSFET з уніполярним каналом збагачення.## Комплектація
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дренаж-виток: 600 В
- Струм дренажу: 21 А
- Розсіювана потужність: 192 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,165 Ом
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ CP
- Комплектація: 5 шт.
Технічні параметри
Прилад має опір у відкритому стані 0,165 Ом та розсіює потужність до 192 Вт. Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±20 В.
Монтаж та корпус
Компоненти призначені для вивідного монтажу (THT) у корпусі PG-TO220-3.
Технологія CoolMOS™ CP
Використання технології CoolMOS™ CP від Infineon Technologies визначає специфічні характеристики перемикаючих властивостей транзистора.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 192 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 165 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ CP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴