Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125P6XKSA1, 600В, 30А, 5 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM035821
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125P6XKSA1, 600В, 30А, 5 шт.В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP60R125P6XKSA1. Це уніполярні компоненти з напругою 600 В та струмом 30 А, виготовлені за технологією CoolMOS™ P6 у корпусі PG-TO220-3.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 30 А
- Опір у стані провідності 0,125 Ом
- Технологія CoolMOS™ P6
- Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
- Упаковка: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 30 А. Опір у стані провідності становить 0,125 Ом. Максимальна розсіювана потужність — 219 Вт.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ P6. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), корпус PG-TO220-3. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Комплектація
У комплекті постачається 5 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 219 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴