Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099P7, 600В, 20А, PG-TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099P7 — це силовий напівпровідниковий прилад для комутації високої потужності. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO220-3 з технологією CoolMOS™ P7.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 20 А
• Розсіювана потужність: 117 Вт
• Опір у стані провідності: 99 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™ P7
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 20 А. Опір у стані провідності становить 99 мОм, що забезпечує ефективну роботу при високих навантаженнях.

Технологія CoolMOS™ P7

Використання технології CoolMOS™ P7 від Infineon. Максимальна розсіювана потужність становить 117 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що вимагає дотримання параметрів керування.

Монтаж та корпус

Компонент має корпус PG-TO220-3 та призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 5 транзисторів.