Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1, 600В, 31А, CoolMOS CP (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1 — це набір із 5 потужних напівпровідникових приладів для силових електронних схем. Модель використовує технологію CoolMOS™ CP, що забезпечує високу ефективність перемикання та низькі втрати енергії. Комплект призначений для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних компонентів для промислових або побутових пристроїв.

• Набір із 5 транзисторів N-MOSFET
• Робоча напруга 600 В
• Струм дрена 31 А
• Опір у відкритому стані 99 мОм
• Технологія CoolMOS™ CP
• Корпус PG-TO220-3-1 (THT)

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на робочу напругу дрена-джерела 600 В, що дозволяє використовувати його в мережевих блоках живлення та інверторах. Максимальний струм дрена становить 31 А, що гарантує стабільну роботу під значним навантаженням. Ці параметри роблять компонент універсальним для задач, де потрібна комутація високої потужності.

Ефективність технології CoolMOS™ CP

Використання технології CoolMOS™ CP знижує опір у відкритому стані до 99 мОм, мінімізуючи нагрівання приладу. Такий низький опір дозволяє зменшити розміри радіаторів або використовувати компактніші системи охолодження. Це особливо важливо для пристроїв з обмеженим простором для монтажу.

Зручний монтаж у корпусі PG-TO220-3-1

Компонент виконаний у стандартному корпусі PG-TO220-3-1 з типом монтажу THT (скрізний монтаж). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт. Корпус TO220 є одним із найпоширеніших у силовій електроніці, що полегшує пошук сумісних кріплень та радіаторів.

Надійність та розсіювання потужності

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 255 Вт, що свідчить про його витривалість у складних умовах експлуатації. Напруга на затворі обмежена ±20 В, що вимагає дотримання правил керування для запобігання пробою ізолятора. Уніполярна структура та збагачуваний канал забезпечують передбачувану характеристику відкривання. Напруга на затворі обмежена ±20 В, що вимагає дотримання правил керування для запобігання пробою ізолятора. Це гарантує стабільну роботу транзистора в схемах керування.