Транзистор N-MOSFET Infineon IPP600N25N3GXKSA1, 250В, 25А, 136Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP600N25N3GXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі PG-TO220-3 з технологією OptiMOS™ 3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 250 В
• Струм стіка: 25 А
• Потужність розсіювання: 136 Вт
• Опір у відкритому стані: 60 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 250 В та постійний струм стіка 25 А. Потужність розсіювання становить 136 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 60 мОм.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі PG-TO220-3, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату методом виводів у отвори (THT). Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Комплектація

У комплекті постачається 10 транзисторів Infineon IPP600N25N3GXKSA1.