Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R250CPXKSA1, 500В, 13А, 114Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
2 400 ₴
- В наявності
- Код: TM074373
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPP50R250CPXKSA1. Має максимальну напругу стік-виток 500 В та максимальний струм стоку 13 А. Виконані в корпусі PG-TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-виток: 500 В
- Максимальний струм стоку: 13 А
- Розсіювана потужність: 114 Вт
- Опір у стані провідності: 0,25 Ом
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 500 В, а максимальний струм стоку — 13 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,25 Ом. Максимальна розсіювана потужність — 114 Вт.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлений за технологією CoolMOS™, що характерна для силових MOSFET-транзисторів Infineon. Корпус PG-TO220-3 передбачає вивідний монтаж (THT) на друковану плату. Напруга на затворі обмежена ±20 В, що важливо враховувати при проектуванні керуючих ланцюгів.
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів IPP50R250CPXKSA1.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 114 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ |
- Ціна: 2 400 ₴